일반적으로 사용되는 반도체 압력 센서는 N형 실리콘 웨이퍼를 기판으로 사용합니다. 첫째, 실리콘 웨이퍼는 특정 기하학적 구조를 가진 탄성 응력 지지 부품으로 만들어집니다. 실리콘 웨이퍼의 응력을 받는 부분에는 서로 다른 결정 방향을 따라 4개의 P형 확산 저항이 만들어지고, 이 4개의 저항으로 4암 휘트스톤 브리지가 형성됩니다. 외부 힘이 작용하면 저항 값의 변화가 전기 신호가 됩니다. 압력 효과가 있는 이 휘트스톤 브리지는 일반적으로 압저항 브리지라고 불리는 압력 센서의 핵심입니다(그림 1 참조). 압저항 브리지의 특성은 다음과 같습니다. ① 브리지의 4개 암의 저항값은 동일합니다(모두 r0). ② 브릿지의 인접한 암의 압저항 효과는 값이 같고 부호가 반대입니다. ③ 브릿지 네 개의 암의 저항 온도 계수는 동일하며, 항상 동일한 온도를 유지합니다. 그림에서. 1, R0는 실온에서 응력이 없는 저항값입니다. RT는 온도가 변할 때 저항의 온도 계수(α)로 인한 변화입니다. Υ Rδ는 변형(ε)으로 인한 저항의 변화입니다. 브리지의 출력 전압은 u=I0 Δ Rδ=I0RGδ(정전류 소스 브리지)입니다.

여기서 I0는 정전류 소스 전류이고 e는 정전압 소스 전압입니다. 압저항 브리지의 출력 전압은 변형률(ε)에 직접적으로 비례하며 저항의 온도 계수로 인해 발생하는 RT와는 아무런 관련이 없으므로 센서의 온도 드리프트를 크게 줄입니다. 가장 널리 사용되는 반도체 압력 센서는 유체의 압력을 감지하는 센서이다. 주요 구조는 단결정 실리콘으로 만들어진 캡슐입니다(그림 2 참조). 다이어프램을 컵으로 제작하고, 컵의 밑면이 외력을 견디는 부분으로 컵의 밑면에 압력교를 만들어준다. 링 받침대는 동일한 실리콘 단결정 재질로 제작되었으며, 다이어프램이 받침대에 접착됩니다. 이러한 종류의 압력 센서는 고감도, 작은 부피 및 견고성의 장점을 가지며 항공, 우주 항법, 자동화 기기 및 의료 기기에 널리 사용되었습니다.