일반적으로 사용되는 반도체 압력 센서는 N- 타입 실리콘 웨이퍼를 기판으로 사용합니다. 첫째, 실리콘 웨이퍼는 특정 형상과 함께 탄성 응력 부품으로 만들어집니다. 실리콘 웨이퍼의 응력 부유 부분에서, 4 개의 p- 타입 확산 저항이 다른 결정 방향을 따라 만들어지고, 4 개의 암 휘트 스톤 브리지 가이 4 개의 저항으로 형성된다. 외부 힘의 작용 하에서 저항 값의 변화는 전기 신호가됩니다. 압력 효과가있는이 Wheatstone Bridge는 압력 센서의 핵심이며, 일반적으로 피에 조 스티브 브리지라고합니다 (그림 1과 같이). 압전 방향 브리지의 특성은 다음과 같습니다. bridge 다리의 인접 팔의 압전적 효과는 값이 같고 부호가 반대입니다. bridge 다리의 4 개의 암의 저항 온도 계수는 동일하며 항상 같은 온도에 있습니다. 그림에서. 1, R0은 실온에서 응력이없는 저항 값이며; RT는 온도가 변할 때 온도 저항 계수 (α)로 인한 변화입니다. υ Rδ는 균주 (ε)로 인한 저항의 변화이며; 브리지의 출력 전압은 u = i0 Δ rΔ = i0rgΔ (일정한 전류 소스 브리지)입니다.

여기서 I0은 일정한 전류 소스 전류이고 E는 일정한 전압 소스 전압입니다. 압전 방향 브리지의 출력 전압은 변형 (ε)에 직접 비례하며 온도 저항 계수로 인한 RT와 관련이 없으므로 센서의 온도 드리프트를 크게 줄입니다. 가장 널리 사용되는 반도체 압력 센서는 유체 압력을 감지하기위한 센서입니다. 주요 구조는 단일 결정 실리콘으로 만든 캡슐입니다 (그림 2와 같이). 다이어프램은 컵으로 만들어지고 컵의 바닥은 외부 힘을 가진 부분이며 압력 브리지는 컵 바닥에 만들어집니다. 고리 받침대는 동일한 실리콘 단결정 물질로 만들어진 다음 다이어프램이 받침대에 결합됩니다. 이러한 종류의 압력 센서는 높은 감도, 소량 및 견고성의 장점을 가지고 있으며 항공, 우주 탐색, 자동화 기기 및 의료 기기에서 널리 사용되었습니다.