반도체 압력 센서는 두 가지 범주로 나눌 수 있는데, 하나는 응력에 따라 반도체 PN 접합(또는 쇼트키 접합)의 I-υ 특성이 변하는 원리를 기반으로 합니다. 이 압력 감지 요소의 성능은 매우 불안정하며 크게 개발되지 않았습니다. 다른 하나는 반도체 압저항 효과를 이용한 센서로, 반도체 압력 센서의 대표적인 종류이다. 초창기에는 반도체 스트레인 게이지를 주로 탄성체에 부착해 다양한 응력 및 스트레인 측정 장비를 만들었다. 1960년대에는 반도체 집적회로 기술의 발전과 함께 압저항소자를 확산저항으로 하는 반도체 압력센서가 등장하였다. 이러한 종류의 압력 센서는 간단하고 안정적인 구조를 가지며 상대적으로 움직이는 부분이 없으며 센서의 압력 감지 요소와 탄성 요소가 통합되어 기계적 지연과 크리프를 방지하고 센서 성능을 향상시킵니다.

반도체 반도체의 압저항 효과는 외력에 관련된 특성을 가지고 있는데, 즉, 받는 응력에 따라 저항률(기호 ρ로 표시)이 변화하는 것을 압저항 효과라고 합니다. 단위 응력의 작용에 따른 저항률의 상대적 변화를 압저항 계수라고 하며 기호 π로 표시됩니다. 수학적으로 ρ/ρ = π σ로 표현됩니다.

여기서 σ는 응력을 나타냅니다. 응력 하에서 반도체 저항에 의해 발생하는 저항값(R/R)의 변화는 주로 저항률의 변화에 ​​의해 결정되므로 압저항 효과의 표현도 R/R=πσ로 쓸 수 있습니다.

외력이 작용하면 반도체 결정에는 특정 응력(σ)과 변형률(ε)이 생성되며 이들 사이의 관계는 재료의 영률(Y), 즉 Y=σ/ε에 의해 결정됩니다.

압저항 효과를 반도체에 가해지는 변형률로 표현하면 R/R=Gε입니다.

G는 압력 센서의 민감도 인자라고 하며 단위 변형률에 따른 저항값의 상대적인 변화를 나타냅니다.

압저항 계수 또는 감도 인자는 반도체 압저항 효과의 기본 물리적 매개변수입니다. 응력과 변형률의 관계와 마찬가지로 이들 사이의 관계는 재료의 영률, 즉 g = π y에 의해 결정됩니다.

반도체 결정의 탄성 이방성 때문에 영률과 압저항 계수는 결정 방향에 따라 변합니다. 반도체 압저항 효과의 크기는 반도체의 저항률과도 밀접한 관련이 있습니다. 저항률이 낮을수록 감도 계수도 작아집니다. 확산 저항의 압저항 효과는 결정 방향과 확산 저항의 불순물 농도에 따라 결정됩니다. 불순물 농도는 주로 확산층의 표면 불순물 농도를 가리킨다.